| 方式 | インクリメンタル（パルス）カウント |
|---|---|
| 出力形式 | AB相 |
| ヘッド―磁気スケール間（SIS-120使用時） |
・検出距離：3.5mm（標準値）±2.5mm （1～6mm） ・許容トラックずれ：最大±5mm |
| ヘッド―磁気スケール間（SIS-210使用時） |
・検出距離：5.5mm（標準値）±2.5mm （3～8mm） ・許容トラックずれ：最大±10mm |
| 分解能 |
・分解能：0.4mm ・接続機器にて4逓倍した後：0.1mm ・精度：±(1+0.5M)mm M=スケール長(m) |
| 最大応答速度 | 600m/分 |
| サンプリング周期 | 約700μs |
| 表示灯 |
ケース前面左上よりにLED設置 許容検出距離時=緑点灯、異常時=赤点灯 |
| 保護回路 | 電源逆接続保護 |
| 保護構造 | IP67（IEC規格）ただしコード末端部は除く |
| 使用温度範囲 | -20℃～+60℃（ただし結露、氷結しないこと） |
| 保存温度範囲 | -30℃～+70℃（ただし結露、氷結しないこと） |
| 絶縁抵抗 |
50MΩ以上 DC500Vメガにて（充電部一括とケース間） |
| コード |
ビニル絶縁丸形コード外径φ4mm 長さ：500mm 公称断面積 SIE-120：0.2mm2 SIE-121：0.18mm2 |
| SIE-120 | NチャンネルMOS FET オープンドレイン出力 | 耐電圧 最大DC30V シンク電流 最大100mA | DC+10V～+26V | 20mA以下 |
| SIE-121 | ラインドライバ | （RS-485準拠） | DC+5V | 20mA以下 |
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